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SimuLase™半导体模拟-激光设计分析软件

SimuLase™是第一款半导体模拟软件,用户通过它可以充分利用最新的半导体模型。通过软件的全微观多体模型,可用来精确验证/预测某些结构参数的关键光电特性,如增益/吸收,折射率,自发辐射(光致发光)或由辐射和俄歇损耗造成的载流子损耗等,从而节省时间和昂贵的实验研究成本。

用于微观特性计算的工具也可以计算V(E)CSEL结构的一些宏观特性,例如横模和纵模模式,反射和透射光谱,考虑空腔效应的表面-PL光谱,阈值电流或工作特性等。通过Simulase模拟可以将实验结果与理论值进行对比。利用微观多体模型开展的创新研究已在很多论文中得到证明。SimuLase也提供了有关设计、分析和优化案例。

SimuLase™提供:

软件给出了对任一可信器件建模时的准确初始基本输入。该数据也可导入到其他商业软件工具中,作进一步研究;

软件给出了易操作的GUI界面,可以确定很多结构的基本特性,而不需要任何实验反馈;

软件给出了很多经过实验验证的模型,在过去的二十年间,已经有五十多篇发表的论文对这些模型进行了研究。

而且,即使您不是微观多体物理学方面的专家,也可以充分利用本软件。SimuLase可以利用微观多体模型的参数匹配,自动的进行结构设计和预设置所有参数。同时为了快速浏览或找出研究兴趣点,软件也允许更改计算参数或使用简化模型。



本软件所采用的GUI界面方式,可以:

用于设计异质结构,只需简单的添加/删除/改变每层的宽度和组分;
即时显示异质结结构的能带、势能、子带和波函数;
计算和显示背景折射率剖面、横模和纵模以及光学约束因子;
计算和显示结构的反射和透射谱;
计算施压掺杂层的电场分布;
计算由于自由载流子导致的本地电荷不均匀而产生的势能变化;

Gain Databases增益数据库:

该数据库给出了标准III-V 和II-VI族元素系统的数据;

数据库中材料特性可用于实现对激光芯片的完整闭环设计,从一般的结构设计入手(如层宽、构成和掺杂组成),然后在实验误差范围内对激射波长到输入输出特性等进行预测。

软件提供的定量计算可对大部分光电器件如半导体激光器、光放大器或调制器等主要的材料特性进行预估。相对材料和结构设计,这些分析结果是普适的,几乎没有什么限制。采用微观多体计算过程可以算出:增益、吸收及折射谱;自发辐射(光致发光)谱;自发辐射的电流损耗;俄歇过程的电流损耗;带内(自由载流子)吸收;同时也可得到相关的一些参数,如微分增益和线宽加强因子。

采用的算法包括移相乘法和线型函数,避免了复杂算法。